Samsung เปิดตัว NAND รุ่นใหม่ เทคโนโลยี FeFET เขียนข้อมูลได้ 5 บิตต่อเซลล์ กินไฟน้อยกว่าเดิม 96% ตอบโจทย์หน่วยความจำยุค AI
Samsung Electronics เปิดเผยความก้าวหน้าครั้งสำคัญของวงการหน่วยความจำ หลังทีมวิจัยจาก Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) พัฒนาเทคโนโลยี NAND แบบใหม่ที่ใช้ทรานซิสเตอร์ฟีโรอิเล็กทริก (FeFET) โดยงานวิจัยนี้ได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร Nature และมีจุดเด่นสำคัญคือสามารถลดการใช้พลังงานได้มากถึง 96% เมื่อเทียบกับ NAND แบบเดิม