Intel ร่วมกับ Micron ใช้เวลากว่า 25 ปีร่วมกันพัฒนาแฟลชเมมโมรี่ชนิดใหม่ที่มาแรงแซงทุกหน่วยความจำที่มีในปัจจุบันโดยให้ชื่อว่า 3D XPoint (อ่านว่า 3D Cross-point) ซึ่งสามารถรับ-ส่งข้อมูลได้เร็วกว่า NAND ที่เป็นหน่วยความจำที่กำลังเป็นที่นิยมในปัจจุบันมากถึง 1,000 เท่า

การทำงานของ 3D XPoint จะไม่เหมือนหน่วยความจำแฟลชในปัจจุบันที่ต้องผ่านทรานซิสเตอร์ที่ทำให้อ่านและรับ-ส่งข้อมูลได้ช้า อายุการใช้งานก็ไม่นาน แต่ 3D XPoint นั้นใช้วิธีเปลี่ยนรูปแบบทางกายภาพของโครงสร้างให้สามารถเปลี่ยนแต่ละบิตได้ทันทีโดยไม่ต้องล้างข้อมูลทั้งหมดก่อน ทำให้สามารถอ่าน เก็บ และรับ – ส่งข้อมูลได้เร็วขึ้น รวมถึงใช้งานได้นานขึ้นและมีต้นทุนไม่สูง อีกทั้งการออกแบบให้ซ้อนทับกันหรือที่เรียกว่า crosshatch (ตามภาพ) ช่วยให้เจ้า 3D XPoint สามารถเก็บความจุได้มากขึ้นอีกด้วย

ตอนนี้ 3D XPoint กำลังอยู่ในขั้นตอนการผลิตแล้ว ซึ่งอาจจะปล่อยตให้ลูกค้าบางกลุ่มทดลองในช่วงปลายปีนี้ โดยทั้ง Intel และ Micron เองก็จะใช้เทคโนโลยีนี้ผลิตหน่วยความจำออกมาในภายหลัง ซึ่งยังไม่มีกำหนดว่าจะวางจำหน่ายเมื่อไหร่ 

Source : intel via engadget