และแล้วชิประดับท็อปที่ทุกคนรอคอยก็เผยข้อมูลทั้งหมดออกมาอย่างเป็นทางการเป็นที่เรียบร้อยในงาน CES 2017 ที่ Las Vegas เมื่อวานนี้ โดยเป็นชิปเซ็ตที่จะอยู่ในสมาร์ทโฟนเรือธงยี่ห้อต่างๆ ทั้ง Samsung Galaxy S8 (เวอร์ชัน Snapdragon), LG G6 และ HTC 11 และมันก็คือ Qualcomm Snapdragon 835

 

ด้วย CPU 8 คอร์สถาปัตยกรรม Kryo ที่ออกแบบโดย Qualcomm เอง สี่คอร์แรงมี clock speed 2.45 GHz อีกสี่คอร์เบาที่เป็นตัวทำงานหลักมี clock speed 1.9 GHz สาเหตุที่ต้องใช้ CPU ตัวเบาเป็นหลัก เนื่องจากการทำงานของสมาร์ทโฟนปกติไม่ต้องการพลังของ CPU ที่แรงมากๆ อยู่ตลอดเวลา จะใช้ CPU ตัวแรงก็ต่อเมื่อเกินความสามารถของ 4 คอร์แรกเท่านั้น (เช่นใช้เล่นเกมหรือ VR) เพื่อเป็นการประหยัดพลังงาน

Snapdragon 835 ผลิตในโรงงานของ Samsung ด้วยเทคโนโลยีการผลิตระดับ 10 นาโนเมตรทำให้ขนาดของชิปลดลงจาก Snapdragon 820 ที่ผลิตที่ 14 นาโนเมตรไปพอสมควร ซึ่งนอกจากขนาดจะเล็กลงยังทำให้กินไฟน้อยลงอีกถึง 40% และแรงขึ้นอีก 27% เป็นชิพรุ่นแรกที่รองรับ Qualcomm Quick Charge 4.0 ที่เร็วกว่าเวอร์ชัน 3.0 อีก 20% โดยการชาร์จเพียง 5 นาทีจะทำให้สมาร์ทโฟนแสตนบายอยู่ได้ 5 ชั่วโมง การชาร์จ 15 นาที จะทำให้แบตเตอรี่เพิ่มจาก 0% เป็น 50% ถ้าอยากรู้ว่ามันประหยัดขึ้นขนาดไหน ชิพตัวนี้กินไฟน้อยกว่าชิพ Snapdragon 801 ใน HTC One M8 ครึ่งนึงเลยทีเดียว

ในด้านการเชื่อมต่อนั้น ด้วยโมเด็ม LTE Cat 16 ของ Snapdragon 835 รองรับความเร็วในการดาวน์โหลดสูงสุดถึง 1 Gbps ส่วน Wi-Fi รองรับความเร็วสูงสุดที่ 4.6 Gbps

สำหรับคอเกมเจ้า Snapdragon 835 ก็เป็นก้าวกระโดดที่สำคัญเพราะมันมาพร้อมกับ GPU Adreno 540 ตัวล่าสุดที่เรนเดอร์ภาพ 3 มิติได้เร็วกว่า Adreno 530 ใน Snapdragon 820 อึก 25% พร้อมแสดงผลจำนวนสีได้มากกว่าถึง 60 เท่า ชิพเซ็ตรองรับกล้องความละเอียดสูงสุด 32 ล้านพิกเซลหรือ 16 ล้านพิกเซลในกล้องคู่ ถ่ายวิดีโอ 4K ได้ที่เฟรมเรทสูงสุด 30 เฟรมต่อวินาทีและแสดงผลได้ที่ 60 เฟรมต่อวินาที เป็นก้าวกระโดดที่สำคัญของ Qualcomm เหมือนกับตอนที่พัฒนาจาก Snapdragon 800 มาเป็น 820 (ไม่นับ 810 แล้วกัน) นับว่าเป็นชิพเซ็ตที่น่าจับตามองที่สุดในตอนนี้ ใครที่กำลังคิดจะซื้อมือถือใหม่ ถ้ารอไหวแนะนำให้รอประมาณเดือนเมษายนที่จะมีสมาร์ทโฟนยี่ห้อต่างๆที่ใช้ชิพนี้เปิดตัวออกมาให้ยลโฉมกันก่อน

 

ที่มา: Phone Arena via Crackberry