Qualcomm ยักษ์ใหญ่แห่งวงการชิปเซ็ต ได้ขนชิปตัวใหม่ของพวกเขาอย่าง Snapdragon Wear 4100 และ 4100+ มาเปิดตัว โดยชิปทั้งสองจะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 12 นาโนเมตร มีหน่วยประมวลผล AON ที่จะเข้ามาช่วยในเรื่องของการประหยัดพลังงาน แถมยังมีหน่วยประมวลผล ISP สำหรับการถ่ายภาพอีกต่างหาก
โดย Snapdragon Wear 4100+ จะถูกผลิตบนสถาปัตยกรรมขนาด 12 นาโนเมตร มี CPU ARM Cortex-A53 @1.7GHz ทั้งหมด 8 แกน, GPU Adreno 504, รองรับการใช้งาน RAM แบบ LPDDR3 @750 MHz และใช้งานร่วมกับหน่วยความจำชนิด eMMC 4.5 นอกจากนี้ยังมากับหน่วยประมวลผล ISP ที่รองรับการถ่ายภาพความละเอียดสูงสุด 16MP อีกด้วย
ทาง Qualcomm เคลมว่า Snapdragon Wear 4100+ จะมีประสิทธิภาพที่แรงกว่าตัวเดิมอย่าง Snapdragon Wear 3100 อยู่ที่ราวๆ 85% แถมรอบนี้โมเด็ม 4G LTE ของ Snapdragon Wear 4100+ ยังรองรับการใช้งาน Cat.4 LTE และ dual antennas
นอกจากนี้ Snapdragon Wear 4100+ ยังมากับหน่วยประมวลผล Always-On (AON) ที่จะช่วยประหยัดพลังงาน สามารถใช้งานสมาร์ทวอทช์ได้นานยิ่งขึ้นกว่าเดิม อีกทั้งยังรองรับการแสดงผลสีแบบ 64K แล้วด้วย จากเดิมใน Snapdragon Wear 3100 รองรับการแสดงผลสีแค่ 16K เท่านั้น
ความแตกต่างระหว่าง Snapdragon Wear 4100+ และ 4100 หลักๆ จะอยู่ที่ชิปตัวหลังจะไม่มีหน่วยประมวลผล AON เท่านั้น ที่เหลือแทบจะเหมือนกันทุกอย่าง รองรับการใช้งาน WiFi a/b/g/n และ Bluetooth 5.0 โดย Mobvoi TicWatch Pro 3 เตรียมเป็นสมาร์ทวอทช์รุ่นแรกๆ ที่ใช้ชิปเซ็ตตัวใหม่นี้จาก Qualcomm
ไม่เหมาะกับมือถือรุ่นปัจจุบัน ที่กำลังพุ่งไปยัง 5G