ถึงแม้ว่าในไตรมาสที่ผ่านมา ยอดขายมือถือแบรนด์ Samsung จะซบเซาลงบ้างจากสถานการณ์ COVID-19 แต่ในทางกลับกันธุรกิจฝั่ง Semiconductor หรือผลิตชิปกลับบูมขึ้นอย่างเห็นได้ชัดจากความต้องการชิปเซ็ต และ SSD เพื่อเอาไว้ใช้ในอุตสาหกรรม Data Center และ Cloud Storage จนล่าสุด Samsung ก็ได้ประกาศเริ่มการผลิต DRAM ความเร็ว 16Gb (กิ๊กกะบิท) สำหรับใช้บนมือถือซึ่งนับว่าเป็น DRAM ที่เร็วที่สุดเท่าที่เคยผลิตมา

ชิป RAM นี้จะถูกผลิตในสายการผลิต Pyeongtaek Line 2 ซึ่งเป็นสายการผลิต Semiconductor ที่ใหญ่ที่สุดของ Samsung เลยทีเดียว แสดงให้เห็นถึงความตั้งใจของแบรนด์ที่จะผลิตชิปโดยที่ไม่จำเป็นต้องพึ่งสายการผลิตต่างประเทศ ทำให้ Samsung สามารถควบคุมคุณภาพในการผลิตได้อย่างทั่วถึง

สายการผลิต Samsung ตั่งอยู่ที่เมืองพย็อกแท็ก 2 

โดย DRAM ความเร็ว 16Gb (16 Gigabit) ตัวนี้จะใช้ระบบความจุแบบ V-NAND ที่ใช้ชิปความจำแบบ NAND วางซ้อนกันเรื่อย ๆ เป็นแนวตั้งตามชื่อ V (Vertical) NAND ทำให้มันมีหน่วยความจำที่สูงขึ้น ราคาการผลิตที่ถูกลง ใช้พลังงานน้อยลง ทำงานได้เร็วขึ้น และมีอายุการใช้งานที่นานขึ้นนั่นเองครับ

DRAM 16Gb V-NAND ขนาด 10 นาโนเมตรจะถูกผลิตผ่านกระบวนการ EUV (Extreme Ultraviolet lithography) ซึ่งก็คือการใช้แสงเลเซอร์ในการผลิตให้ตัวชิปนั้นบางที่สุดเท่าที่จะบางได้ ทำใหชิป DRAM 16Gb ตัวนี้บางกว่า DRAM 12Gb ตัวเก่าของ Samsung ถึง 30% เลยทีเดียว แต่ถึงขนาดจะเล็กลง RAM 16Gb LPDDR5 มีความเร็วในการส่งข้อมูลอยู่ที่ 6,400 Mbps ด้วยความจุที่ 16GB (ซ้อนกัน 8 ตัว) จะสามารถ รับส่งข้อมูลขนาด 51.2 GB ภายในเวลาเพียงวินาทีเดียวเท่านั้น (ตามทฤษฎีนะครับ)

เราคงจะได้เห็น 16Gb LPDDR5 ในมือถือเรือธงตัวใหม่ของ Samsung อย่าง Galaxy S21 ที่จะเปิดตัวในปี 2021 ซึ่ง RAM ตัวนี้แรงกว่า RAM แบบ 12Gb LPDDR5 ที่ใช้ในมือถือซีรีส์เรือธงอย่าง Galaxy S20 มากถึง 16% เลยทีเดียว…ส่วนเราจะได้เห็นความแตกต่างในการใช้จริงมากแค่ไหนก็คงต้องรอของจริงออกมาให้เราได้ลองสัมผัสกันครับ

Source: Phonearena, Slashgear, รูปภาพ TechPowerup