Samsung เริ่มเดินสายการผลิตชิปหน่วยความจำประเภท eUFS ที่มีความจุ 1TB หรือ 1000GB เป็นครั้งแรกของโลกแล้ว โดยหน่วยความจำชนิดนี้มีความเร็วในการทำงานสูงกว่า micro SD สูงสุดถึง 500 เท่า และคาดว่าจะถูกนำมาใช้งานกับ Samsung Galaxy S10+ ที่จะเปิดตัวปลายเดือนกุมภาพันธ์นี้

ด้วยเทคโนโลยีการผลิต V-NAND รุ่นที่ 5 ทำให้ Samsung สามารถเพิ่มความจุถึง 2 เท่าให้กับชิปที่มีขนาดเท่ากับหน่วยความจำ 512GB แบบเดิม โดยเพิ่มเลเยอร์เรียงเข้าไปเป็น 16 stacked จนได้ความจุสูงสุด 1TB ที่ความจุ 1TB นี้ ผู้ใช้งานสมาร์ทโฟนคงไม่ต้องการหน่วยความจำภายนอกเพิ่มแล้ว เพราะสามารถเก็บคลิปวิดีโอ 4K ได้ถึง 260 คลิป (ความยาวคลิปละ 10 นาที)

เท่านั้นยังไม่พอ ตัวคอนโทรลเลอร์ใหม่ยังเพิ่มความเร็วในการใช้งานทั้งอ่านและเขียนขึ้นไปได้อีก โดยสามารถทำความเร็วในการอ่านได้สูงสุดที่ 1000 MB/s ซึ่งหากเทียบความเร็วในการอ่านข้อมูลกับฮาร์ดดิส์ 2.5″ SATA  ที่จำกัดถึงแค่ 512MB/s นั้นถือว่าเร็วกว่า 2 เท่า ด้วยความเร็วในการอ่านเขียนที่เพิ่มขึ้น ทำให้รองรับข้อมูลจากการถ่ายวิดีโอเฟรมเรทสูง 960fps ได้ด้วย ช่วยให้ผู้ใช้งานสมาร์ทโฟนได้ประโยชน์จากมือถือที่มีสเปคสูงๆ หรือมีหลายกล้องได้สบายๆ

จากข่าวลือที่ว่า Samsung Galaxy S10+ จะมีหน่วยความจำสูงสุดถึง 1TB การเปิดคัว eUFS ที่มีความจุเท่ากับในข่าวลือในตอนนี้ ก็เหมือนเป็นการยืนยันสเปคกันชัดๆ

 

source : samsungnewsroom