แหล่งข่าวจากเกาหลีใต้ ได้เปิดเผยเอกสารภายในที่อ้างว่าหลุดมาจาก Qualcomm เป็นเนื้อหาเกี่ยวกับ Snapdragon 8 Gen 3 ว่าที่ชิปเซตเรือธงรุ่นใหม่ ซึ่งมีประเด็นน่าสนใจตรงข้อความที่ระบุว่า Snapdragon 8 Gen 3 จะมีด้วยกันสองรุ่น รุ่นแรกผลิตด้วยเทคโนโลยี 4 นาโนเมตร (N4P) ของ TSMC ตามที่เป็นข่าวลือมานาน ในขณะที่อีกรุ่น ผลิตด้วยเทคโนโลยี 3 นาโนเมตร (N3E) ที่ก้าวหน้ากว่า โดย TSMC เช่นกัน

เอกสารระบุว่า Snapdragon 8 Gen 3 มาพร้อมซีพียู 8-core คลัสเตอร์แบบ 1+5+2 ประกอบด้วย

  • Cortex X4 – จำนวน 1 แกน ความเร็ว 3.2 GHz
  • Cortex A720 – จำนวน 5 แกน ความเร็ว 3.0 GHz
  • Cortex A520 – จำนวน 2 แกน ความเร็ว 2.0 GHz

กระบวนการผลิตที่เล็กกว่า ขนาดของทรานซิสเตอร์ในชิปเซตจะเล็กลงตาม จึงสามารถใส่ทรานซิสเตอร์ในปริมาณมากกว่าได้หากเทียบกับพื้นที่ขนาดเดียวกัน ส่งผลให้ประสิทธิภาพการประมวลผลและประสิทธิภาพการจัดการพลังงานดีขึ้นตามไปด้วย ซึ่งตอนนี้ฝั่ง Apple เปิดตัวชิปเซต 3 นาโนเมตรรุ่นแรกไปแล้ว คือ A17 Pro ใน iPhone 15 Pro เมื่อวันที่ 12 กันยายนที่ผ่านมา

Snapdragon 8 Gen 3 จะเปิดตัวในงาน Snapdragon Summit ที่ฮาวาย วันที่ 24 ตุลาคม 2023 ทั้งนี้ยังไม่ชัดเจนว่า Snapdragon 8 Gen 3 รุ่น 3 นาโนเมตร Qualcomm จะใช้ชื่อเป็น Snapdragon 8+ Gen 3 หรือไม่

ที่มา : gamma0burst จาก PhoneArena