Samsung x IBM ประกาศ พัฒนาชิปเซ็ตบนพื้นฐานเทคโนโลยีใหม่ VTFET แรงขึ้น 2x กินไฟน้อยลง 85%
Samsung และ IBM ได้ออกมาประกาศความสำเร็จในการออกแบบชิปเซ็ตเซมิคอนดักเตอร์แบบใหม่ภายในงานประชุม IEDM ที่จัดขึ้น ณ นครซานฟรานซิสโก รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา โดยทั้งสองบริษัทฯ ระบุว่า พวกเขาสามารถพัฒนาชิปเซ็ตที่ใช้เทคนิคการวางแบบแนวตั้ง เพื่อให้ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น ในขณะที่กินพลังงานน้อยลง
