fbpx
News

Samsung x IBM ประกาศ พัฒนาชิปเซ็ตบนพื้นฐานเทคโนโลยีใหม่ VTFET แรงขึ้น 2x กินไฟน้อยลง 85%

Samsung และ IBM ได้ออกมาประกาศความสำเร็จในการออกแบบชิปเซ็ตเซมิคอนดักเตอร์แบบใหม่ภายในงานประชุม IEDM ที่จัดขึ้น ณ นครซานฟรานซิสโก รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา โดยทั้งสองบริษัทฯ ระบุว่า พวกเขาสามารถพัฒนาชิปเซ็ตที่ใช้เทคนิคการวางแบบแนวตั้ง เพื่อให้ประสิทธิภาพที่สูงขึ้น ในขณะที่กินพลังงานน้อยลง

ชิปเซ็ตเซมิคอนดักเตอร์ปกติทั่วไปในปัจจุบัน จะมีเทคนิคการวางแบบนอนราบไปที่พื้นผิวซิลิคอน มีกระแสไฟฟ้าไหลแบบ Side-by-Side แต่การออกแบบใหม่ที่ทาง Samsung และ IBM ได้ร่วมกันพัฒนาขึ้นมานั้นจะแตกต่างออกไป โดยตัวทรานซิสเตอร์จะวางตั้งฉากกับพื้นผิวชิปเซ็ต และมีกระแสไฟไหลในแนวตั้ง ซึ่งเทคนิคการวางทรานซิสเตอร์แบบตั้งฉาก จะช่วยก้าวข้ามข้อจำกัดกฎของมัวร์ (Moore’s Law) หรือพูดง่าย ๆ คือประหยัดพลังงานกว่าเดิมนั่นเอง

โดยเทคโนโลยีใหม่ที่ทาง Samsung และ IBM ร่วมกันพัฒนานี้จะมีชื่อว่า Vertical Transport Field Effect Transistors หรือ VTFET ซึ่งทั้งสองบริษัทฯ เคลมว่า เทคโนโลยีนี้จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพความแรงมากกว่าเดิมสองเท่า และมีการจัดการพลังงานที่ดีขึ้นถึง 85% เมื่อเทียบกับการออกแบบแบบ FinFET

อย่างไรก็ตาม ทั้งสองบริษัทฯ ไม่ได้ระบุว่า เราจะได้เห็นผลิตภัณฑ์ที่ใช้ชิปเซ็ตพื้นฐานเทคโนโลยี VTFET นี้คลอดออกมาเมื่อไหร่ คงต้องรอติดตามอัปเดตข่าวสารกันต่อไปอีกทีครับ

 

ที่มา: sammobile

Leave a Reply

To Top