หลังจาก Qualcomm ได้เลือก Samsung ให้เป็นผู้ผลิตชิปเซ็ทรุ่นใหม่ Snapdragon 835 ที่จะพร้อมใช้งานในช่วงไตรมาสแรกของปี 2017 นั้น ตอนนี้ก็เริ่มมีผลการทดสอบชิปรุ่นนี้ที่ใช้สถาปัตยกรรมระดับ 10 นาโนเมตรในการผลิตแล้ว โดยมีผลทดสอบของ GFXBench ออกมาการันตีความแรงที่คะแนนพุ่งสูงกว่าชิป A10 Fusion ของ iPhone 7 ไปเป็นที่เรียบร้อย

ชิป Qualcomm Snapdragon 835 นั้นเป็นชิป Octa-core 2.2GHz โดยเป็นแกน Kryo ทั้งหมด ซึ่ง Snapdragon 821 เป็น Quad-core Kryo) และ GPU ตัวใหม่ Adreno 540 นั้นก็แสดงพลังทันที โดยสามารถทำคะแนนทดสอบ Manhattan 3.0 1080p ไปได้ 61.9 ชนะ Android ทุกรุ่น รวมถึง iPhone 7 ด้วย

รวมถึงคะแนน Manhattan 3.1 ก็ยังกินเรียบ ทำคะแนนคว้าอันดับ 1 ไปได้เรียบร้อย แต่ทั้งนี้ต้องบอกก่อนว่าตัวชิป Snapdragon 835 ตอนนี้ยังอยู่ในช่วงเริ่มต้นพัฒนาเท่านั้น และการทดสอบนี้ก็ถูกทำขึ้นบนเมนบอร์ดที่ใช้พัฒนาตัวชิปครับ

 

source : gsmarena