กระแสความต้องการเทคโนโลยีปัญญาประดิษฐ์ (AI) กำลังพลิกโฉมโครงสร้างอุตสาหกรรมหน่วยความจำโลก รายงานล่าสุดจาก Counterpoint Research (Global Memory Tracker Q2 2026) เผยให้เห็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในตลาด DRAM ประจำไตรมาสที่ 2 ของปี 2026 เมื่อ Samsung Electronics สามารถทวงตำแหน่งผู้นำอันดับ 1 ของโลกกลับคืนมาได้สำเร็จ ขณะที่ Micron เร่งเครื่องแซงขึ้นมาจ่อเบอร์ 2 และค่ายจีนอย่าง CXMT เติบโตอย่างก้าวกระโดดแบบร้อยละสามหลัก
รายได้และส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วโลก ไตรมาส 2 ปี 2026 (Q2 2026)
ความต้องการหน่วยความจำชิปทั่วโลกในปัจจุบันยังคงโตแซงหน้ากำลังการผลิต เนื่องจากคลื่นการปรับใช้ AI ได้ขยายวงกว้างจากการสร้างโครงสร้างพื้นฐานการประมวลผลขั้นสูง ไปสู่ระบบ Agentic AI และการเติบโตของ CPU สำหรับ AI Server

Samsung ทวงบัลลังก์ชิป DRAM คืน
Samsung Electronics เริ่มต้นปี 2026 ด้วยข่าวดี เพราะไตรมาส 1 ก็ครองแชมป์ด้วยส่วนแบ่งตลาดไปถึง 38% และในไตรมาส 2 นี้ จากปีที่แล้วได้ส่วนแบบ 33% เป็นอันดับ 2 รองจาก SK Hynix ก็พลิกสถานการณ์กลับมาผงาดเป็นอันดับ 1 ในตลาด DRAM อีกครั้ง ด้วยส่วนแบ่งตลาดที่กว้างขึ้นถึง 39% ซึ่งเป็นระดับสูงสุดนับตั้งแต่ปี 2024
Jeongku Choi นักวิเคราะห์อาวุโสจาก Counterpoint Research ระบุว่า Samsung ได้รับอานิสงส์หลักมาจาก
- การพุ่งขึ้นของราคา Conventional DRAM : ชิป DRAM แบบดั้งเดิมที่ใช้ใน CPU สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI มีความต้องการสูงและราคาปรับตัวขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ
- การรุกตลาด HBM : Samsung เริ่มขยายส่วนแบ่งในตลาด High Bandwidth Memory (HBM) ได้มากขึ้น
- แนวโน้มเติบโตต่อเนื่อง : คาดการณ์ว่าราคา DRAM จะปรับขึ้นอีกในไตรมาส 3 (Q3 2026) ซึ่งจะส่งผลให้กำไรของ Samsung เติบโตอย่างแข็งแกร่งในครึ่งปีหลัง
ทำไม SK hynix ถึงมาร์เก็ตแชร์ร่วง ทั้งที่รายได้โต 214%?
แม้ SK hynix จะทำรายได้ไตรมาสพุ่งสูงขึ้นถึง 214% YoY และสร้างสถิติรายได้สูงสุดเป็นประวัติการณ์ แต่ส่วนแบ่งตลาดกลับร่วงลงมาเหลือ 26% (จากเดิม 39% ใน Q2 2025) เนื่องจากโดนขนาบข้างจากทั้ง Samsung และ Micron
MS Hwang ผู้อำนวยการฝ่ายวิจัยของ Counterpoint ได้อธิบายปัจจัยทางเทคนิคไว้ 2 ข้อ ดังนี้
- ผลกระทบจากการลดลงของราคา HBM3E : SK hynix เป็นผู้เล่นที่มีสัดส่วนการส่งออกและรายได้มาจาก HBM สูงที่สุดในอุตสาหกรรม ดังนั้นเมื่อราคาเฉลี่ย (ASP) ของ HBM3E ปรับตัวลดลงชั่วคราวระหว่างรอการเปลี่ยนผ่านไปสู่ HBM4 ประกอบกับความล่าช้าในการเปิดตัว HBM4 ในช่วงต้นปี จึงทำให้ SK hynix ได้รับผลกระทบทางรายได้รวมมากกว่าคู่แข่ง
- ข้อจำกัดจากสัญญาซื้อขายระยะยาว (Long-term Agreement) : SK hynix เป็นเจ้าแรกๆ ที่เซ็นสัญญา LTA กับลูกค้ารายใหญ่ ข้อตกลงนี้มีการกำหนดเพดานราคา และราคาขั้นต่ำไว้ล่วงหน้า เมื่อตลาด DRAM ปรับราคาขึ้นอย่างรวดเร็ว ราคาที่ล็อกไว้ในสัญญา LTA จึงต่ำกว่าราคาตลาดปัจจุบัน ทำให้ไม่สามารถทำกำไรจากช่วงขาขึ้นได้อย่างเต็มเม็ดเต็มหน่วย
อย่างไรก็ตาม สัญญานี้เริ่มมีทิศทางดีขึ้นใน Q3 2026 เมื่อชิป HBM4 เริ่มส่งมอบควบคู่ไปกับระบบเซิร์ฟเวอร์ GPU ยุคใหม่อย่าง NVIDIA Vera Rubin และ AMD Instinct MI455X
Micron ม้ามืดจ่อขึ้นอันดับ 2 : เติบโต 5 เท่าตั้งแต่ปี 2023
Micron Technology ถือเป็นหนึ่งใน Big Three ที่สร้างความประหลาดใจด้วยการคว้าส่วนแบ่งตลาดไปถึง 25% ตามหลัง SK hynix เพียงแค่ 1% เท่านั้น
Neil Shah รองประธานฝ่ายวิจัยของ Counterpoint ชี้ว่า รายได้จาก DRAM ของ Micron เติบโตพุ่งสูงขึ้นถึง 5 เท่า เมื่อเทียบกับ Q2 2025 ซึ่งเป็นผลมาจากกลยุทธ์การขยายกำลังการผลิตอย่างมีประสิทธิภาพตั้งแต่เริ่มยุค AI บูม ในครึ่งหลังของปี 2023 ปัจจัยสำคัญที่จะตัดสินว่า Micron จะสามารถแซง SK hynix ขึ้นเป็นอันดับ 2 ได้หรือไม่ ขึ้นอยู่กับ กำลังการผลิตที่เพียงพอ และ การบริหารสัญญา LTA ในอนาคต
4. จับตา CXMT (จีน) และ Nanya (ไต้หวัน) ค่ายดาวรุ่ง แรงฉุดไม่หยุด
นอกจากกลุ่ม Big Three แล้ว ตลาด DRAM ใน Q2 2026 ยังเห็นการเติบโตอย่างก้าวกระโดดของผู้เล่นระดับรอง
- CXMT (ChangXin Memory Technologies – จีน) : สร้างสถิติเติบโตเร็วที่สุดในโลกด้วยอัตรา 716% YoY โดยได้ปัจจัยหนุนจากความต้องการ DRAM พื้นฐานภายในประเทศจีน และการขยายกำลังการผลิตอย่างต่อเนื่อง
- Nanya Technology (ไต้หวัน) : เติบโตขึ้น 690% YoY จากอุปสงค์ที่เพิ่มขึ้นในกลุ่มชิปหน่วยความจำ DDR4, LPDDR4 และ LPDDR5
สรุปแนวโน้มตลาด DRAM ครึ่งปีหลัง (H2 2026)
การแข่งขันในตลาด DRAM ยุค AI ไม่ใช่แค่เรื่องของปริมาณการผลิต แต่คือ ความเชี่ยวชาญทางเทคโนโลยีและการบริหารจัดการ Supply Chain
ในครึ่งหลังของปี 2026 ตลาด DRAM มีแนวโน้มปรับตัวสูงขึ้นอีก ทั้งจากแรงหนุนของ Agentic AI, การเติบโตของ AI Server CPU, และการเข้าสู่รอบรอบใหม่ของ HBM4 ซึ่งจะกลายเป็นตัวแปรสำคัญในการกำหนดทิศทางรายได้และอันดับของผู้ผลิตชิปยักษ์ใหญ่ของโลกต่อไป
💡 คำศัพท์เทคนิคสำคัญน่ารู้ (SEO & Technical Glossary)
- DRAM (Dynamic Random-Access Memory): หน่วยความจำหลักแบบชั่วคราวที่ใช้ในคอมพิวเตอร์และเซิร์ฟเวอร์
- HBM (High Bandwidth Memory / HBM3E, HBM4): หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงที่วางซ้อนกันแบบ 3D เหมาะสำหรับการประมวลผล AI และ GPU ระดับสูง
- Agentic AI: ระบบปัญญาประดิษฐ์ที่สามารถตัดสินใจและดำเนินการได้ด้วยตนเองอย่างซับซ้อน ซึ่งต้องใช้พลังประมวลผลและหน่วยความจำมหาศาล
- LTA (Long-term Agreement): สัญญาซื้อขายระยะยาวระหว่างผู้ผลิตชิปและลูกค้าเพื่อล็อกราคาและปริมาณสินค้า
- Conventional DRAM: ชิป DRAM มาตรฐานทั่วไป (เช่น DDR4, DDR5) ที่ใช้ใน CPU และอุปกรณ์ทั่วไป
ที่มา : counterpointresearch

Comment