สถานการณ์ RAM และชิปหน่วยความจำทั่วโลกดูเหมือนจะยังไม่ดีขึ้นง่าย ๆ เพราะล่าสุด Kwak Noh-jung ซีอีโอของ SK hynix ออกมาเตือนว่า ปี 2027 อาจกลายเป็นปีที่อุตสาหกรรมหน่วยความจำเจอปัญหาของขาดหนักที่สุดในประวัติศาสตร์ หลังความต้องการจากตลาด AI เพิ่มขึ้นเร็วกว่ากำลังการผลิตอย่างมาก
Samsung, SK hynix และ Micron ผู้ผลิตหน่วยความจำ DRAM รายใหญ่ที่สุดของโลก กำลังเผชิญคดีฟ้องร้องแบบกลุ่ม (Class Action) ในสหรัฐอเมริกา หลังถูกกล่าวหาว่าร่วมกันจำกัดปริมาณการผลิต DRAM เพื่อผลักดันให้ราคาปรับตัวสูงขึ้น ท่ามกลางวิกฤติราคาแรมที่ส่งผลกระทบต่อผู้บริโภคและผู้ประกอบการทั่วโลก
SK Hynix กลายเป็นบริษัทผลิตหน่วยความจำรายล่าสุด ที่มีมูลค่าทะลุ 1 ล้านล้านดอลาร์สหรัฐ อ้างอิงจากราคาในตลาดหุ้นที่พุ่งขึ้น 9.3% เมื่อวันพุธที่ผ่านมา เป็นผลมาจากความต้องการชิปหน่วยความจำ (HBM) ที่ร้อนแรงอย่างต่อเนื่อง
ลือ SK hynix อาจตัดสินใจยุติการผลิต DRAM และ NAND สำหรับตลาดผู้ใช้ทั่วไป และหันไปทุ่มกำลังการผลิตให้กับตลาดที่มีมูลค่าสูงกว่าอย่าง AI, data center และ enterprise storage ตามรอย Micron อีกหนึ่งราย หากเป็นจริงอาจกระทบโครงสร้างตลาดหน่วยความจำทั่วโลกอย่างมีนัยสำคัญ
อุตสาหกรรมหน่วยความจำกำลังเผชิญแรงกดดันครั้งใหญ่ที่อาจกระทบผู้ใช้ทั่วไปยาวนานกว่าที่หลายคนคาดไว้ โดยข้อมูลการวิเคราะห์ภายในของ SK hynix ชี้ตรงกันว่า ปัญหาความไม่สมดุลระหว่างอุปสงค์และอุปทานของ DRAM สำหรับตลาดคอนซูเมอร์มีแนวโน้มจะยืดเยื้อไปอย่างน้อยจนถึงปี 2028 และอาจไม่ใช่เพียงภาวะตึงตัวชั่วคราวเหมือนในอดีต รายงานดังกล่าวถูกเปิดเผยผ่านภาพหน้าจอที่ผู้ใช้ X ชื่อ BullsLab นำมาเผยแพร่ ซึ่งอ้างว่าเป็นเอกสารวิเคราะห์ภายในของ SK hynix โดยเนื้อหาระบุชัดว่า แม้หน่วยความจำกลุ่ม HBM และโซลูชันเฉพาะทางอย่าง SOCAMM จะเติบโตอย่างรวดเร็ว แต่ DRAM ประเภท Commodity ที่ใช้ในพีซี เกมมิ่ง และอุปกรณ์ผู้บริโภคทั่วไป กลับมีข้อจำกัดด้านการเติบโตต่อเนื่องไปอีกหลายปีข้างหน้า
SK hynix ประกาศเริ่มผลิตจริง QLC NAND Flash แบบ 321 ชั้นครั้งแรกของโลก ชิปหนึ่งเม็ดมีความจุสูงสุด 8TB ด้วยเทคนิคซ้อน 32 die และสามารถรวมเป็น SSD ที่มีความจุระดับ 10TB–30TB+ ได้ไม่ยาก นอกจากความจุที่มากขึ้น รุ่นใหม่นี้ยังแก้ข้อจำกัดของ QLC เดิมด้วยการเพิ่ม plane ภายในชิปจาก 4 เป็น 6 ทำให้ประมวลผลขนานได้มากขึ้น ส่งผลให้การเขียนเร็วขึ้นสูงสุด 56% การอ่านเร็วขึ้น 18% ความเร็วโอนถ่ายข้อมูลเพิ่มเท่าตัว และประหยัดพลังงานกว่า 23% ตอบโจทย์ทั้งผู้ใช้ทั่วไปและ AI data center
ความคืบหน้ากรณีอดีตพนักงาน SK Hynix ที่ถูกตำรวจรวบตัวคาสนามบินในจังหวัดคย็องกี ประเทศเกาหลีใต้ เมื่อหลายเดือนก่อน ฐานต้องสงสัยว่าขโมยความลับทางการค้าไปขายต่อให้กับหัวเว่ยที่เป็นบริษัทคู่แข่ง ล่าสุดศาลแขวงซูวอน เล็งเห็นว่าการกระทำของจำเลยมีมูลความผิดจริง จึงตัดสินโทษจำคุกเป็นเวลา 18 เดือน พร้อมปรับเงินอีก 20 ล้านวอน หรือประมาณ 5 แสนบาท
SK Hynix บริษัทเซมิคอนดักเตอร์ที่ชำนาญด้านชิปหน่วยความจำ Flash Memory จากประเทศเกาหลีใต้ ได้แจ้งความดำเนินคดี พร้อมรวบอดีตพนักงานสาวชาวจีนรายหนึ่งกลางสนามบิน โดยอ้างว่าพนักงานรายดังกล่าว ได้พยายามขโมยข้อมูลเทคโนโลยีในการผลิตชิปขั้นสูงกว่า 3,000 หน้ากระดาษไปให้กับ HUAWEI และอาจสร้างความเสียหายให้กับเศรษฐกิจของเกาหลีใต้หลายล้านล้านวอนเลยทีเดียว
Korea Econimic Daily รายงานว่าทาง Microsoft ได้เชิญผู้บริหารสูงสุดของ Samsung Semiconductor รวมถึงผู้บริหารบริษัทผลิตเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่ของเกาหลีใต้ทั้ง SK Hynix, LG Electronics และ SK Telecom เพื่อเข้าร่วมงานประชุมสัมมนาอย่าง MS CEO Summit ในวันที่ 14 พฤษภาคม 2024 ซึ่งภายในงานคาดว่าจะมีการประชุมเพื่อร่วมงานกันพัฒนา AI ด้วยกัน
RAM LPDDR6 หน่วยความจำเทคโนโลยีใหม่คาดว่าจะได้เปิดตัวในช่วงไตรมาส 3 ปี 2024 โดย RAM มาตรฐานใหม่คาดว่าจะเพิ่มจำนวนแบนด์วิดท์ และความเร็วในการถ่ายข้อมูลให้มากกว่าในรุ่นก่อน เพื่อเน้นใช้ในการประมวลผล AI โดยเฉพาะ ซึ่งตอนนี้ Samsung และ SK Hynix ผู้ผลิตรายใหญ่ก็ได้เร่งงานเพื่อให้ทันใช้กับ Snapdragon 8 Gen 4 ที่ต้องการใช้แรงประมวลผลจาก RAM ที่มากขึ้นนั่นเอง