SK hynix ประกาศก้าวสำคัญในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ เปิดตัว QLC NAND Flash รุ่นใหม่ที่ซ้อนชั้นได้สูงสุดถึง 321 เลเยอร์ และเริ่มผลิตจริง (mass production) เป็นที่เรียบร้อยแล้ว นี่ถือเป็นครั้งแรกของโลกที่เทคโนโลยี QLC ก้าวข้ามหลัก 300 ชั้นได้สำเร็จ และกลายเป็นมาตรฐานใหม่ด้านความหนาแน่น (density) ของ NAND Flash
จุดเปลี่ยนครั้งใหญ่: ชิปเดียวจุได้ 8TB
ความโดดเด่นที่สุดคือการทำให้ NAND package หนึ่งเม็ดมีความจุสูงสุด 8TB ได้สำเร็จ โดยใช้เทคนิค 32-die stacking ภายในชิป แต่ละ die มีความจุ 2Tb หรือประมาณ 256GB เมื่อนำ 32 die มาซ้อนรวมกันจึงได้ 8TB ต่อ package
การออกแบบลักษณะนี้ทำให้ SSD ที่ประกอบด้วยหลายแพ็กเกจ สามารถขยายความจุรวมได้ตั้งแต่ 10TB, 20TB ไปจนถึง 30TB ขึ้นไป ระดับนี้เดิมทีพบได้เฉพาะในดาต้าเซ็นเตอร์ แต่ SK hynix วางแผนจะเริ่มนำมาใช้กับ PC SSD สำหรับผู้บริโภคทั่วไปก่อน แล้วจึงขยายไปยังตลาด enterprise SSD (eSSD) และ UFS สำหรับสมาร์ตโฟน
ประสิทธิภาพที่ดีกว่า QLC รุ่นก่อน
QLC มักถูกมองว่ามีข้อเสียเรื่องความเร็วและความทนทานเมื่อเทียบกับ TLC หรือ MLC แต่ SK hynix แก้เกมด้วยการปรับสถาปัตยกรรมใหม่ โดยเพิ่มจำนวน plane ภายในชิปจาก 4 → 6 plane ซึ่งเป็นหน่วยประมวลผลย่อย ทำให้สามารถประมวลผลแบบขนาน (parallel processing) ได้มากขึ้น
ผลลัพธ์คือ
- ความเร็วการโอนถ่ายข้อมูล (data transfer speed) เพิ่มขึ้น 2 เท่า
- ประสิทธิภาพการเขียน (write performance) ดีขึ้นสูงสุด 56%
- ความเร็วการอ่าน (read performance) ดีขึ้น 18%
- ประสิทธิภาพพลังงานขณะเขียน (write power efficiency) เพิ่มขึ้นกว่า 23%
ทั้งหมดนี้ทำให้ QLC รุ่นใหม่ไม่ได้มีดีแค่ความจุสูง แต่ยัง “เร็วขึ้น ประหยัดไฟขึ้น” ตอบโจทย์ทั้งผู้ใช้ทั่วไปและองค์กร โดยเฉพาะตลาด AI data center ที่ความต้องการด้าน TCO (Total Cost of Ownership) และ พลังงานต่อประสิทธิภาพ เป็นหัวใจสำคัญ
ทำไม 321 เลเยอร์ถึงเป็นเรื่องใหญ่
การเพิ่มจำนวนเลเยอร์บน NAND Flash คือการเพิ่ม ความหนาแน่นของการเก็บข้อมูล (density) บนพื้นที่ซิลิคอนเท่าเดิม ยิ่งซ้อนเลเยอร์ได้มาก ก็ยิ่งบันทึกข้อมูลได้มาก และลดต้นทุนต่อบิตลง แต่สำหรับ QLC ซึ่งเก็บข้อมูล 4 บิตต่อเซลล์ อยู่แล้ว ความท้าทายคือความเสถียรและความทนทานของข้อมูลที่ซับซ้อนกว่าประเภท TLC (3 บิต) หรือ MLC (2 บิต) การที่ SK hynix สามารถซ้อนถึง 321 ชั้น ได้สำเร็จ ถือเป็นสัญญาณว่า QLC ได้ก้าวข้ามข้อจำกัดเดิม และปูทางสู่ SSD ความจุ ultra-high อย่างเต็มรูปแบบ
วิสัยทัศน์สู่อนาคต AI Memory
นาย Jeong Woopyo หัวหน้าฝ่ายพัฒนา NAND ของ SK hynix กล่าวว่า “การเริ่มผลิตจริงครั้งนี้ ไม่เพียงช่วยเพิ่มไลน์อัปความจุสูงขึ้น แต่ยังทำให้เรามีความได้เปรียบด้านต้นทุน และเป็นการก้าวกระโดดสู่การเป็น Full-stack AI memory provider ที่พร้อมรองรับความต้องการมหาศาลในยุค AI”
SK hynix จะใช้เทคโนโลยี 32DP (32-Die Package) ในการซ้อน NAND die ได้พร้อมกัน 32 ชั้นในแพ็กเกจเดียว ซึ่งช่วยเพิ่มความหนาแน่นของการรวมชิป (integration density) ทำให้สามารถบุกตลาด eSSD ความจุสูงพิเศษ สำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI ได้เร็วขึ้น
สรุป
การเริ่มผลิตจริงของ QLC NAND 321 ชั้น จาก SK hynix ถือเป็นการปฏิวัติทั้งด้าน ความจุ ประสิทธิภาพ และต้นทุน ที่พร้อมจะเปลี่ยนตลาดหน่วยความจำไปอีกขั้น ด้วยชิปเพียงหนึ่งเม็ดที่จุได้ถึง 8TB และสามารถต่อยอดเป็น SSD ความจุระดับ 30TB ได้ไม่ยาก แถมยังเร็วขึ้นและใช้พลังงานน้อยลง นี่คือก้าวที่ไม่ได้มีผลแค่กับ PC SSD รุ่นใหม่ ที่ผู้ใช้ทั่วไปจะได้สัมผัส แต่ยังเป็นรากฐานสำคัญที่จะขับเคลื่อน AI data center และระบบประมวลผลยุคใหม่ที่ต้องการทั้งความจุสูงและประสิทธิภาพที่คุ้มค่ามากกว่าเดิม
Comment